Modeling of hot-electron effects in si MOS devices
P.J.H. Elias
Modeling of hot-electron effects in si MOS devices
PaperbackNederlands
In het kort
ISBN-13
9789090063164
Uitgever
Verschenen
1 juli 1993
Bibliografisch
ISBN-139789090063164
Editie1
TaalNederlands dut
GeïllustreerdJa
Uitgave
Vorm & inhoud
ProductvormPaperback BC
SamenstellingLos product
Classificatie
NUR (hoofd)Technische wetenschappen algemeen 950
NUR (alle)950 Technische wetenschappen algemeen
Medewerkers
Auteur A01P.J.H. Elias
Herkomst
Werk-id (NSTC)500906583
MeldingBevestigd bij publicatie 03
Bijgewerkt6 augustus 2026
Lijkt op dit boek
Hoe de Luchtvaart Werkt
Gastechnicus
Ontmanteling van een kerncentrale
Waterstof en de verliezen onderweg
Luchtverkeersleiding in gewone taal
Wissels, seinen en de dienstregeling
Teruglevering en negatieve prijzen
Desalination: Drinking the Sea
Brandwerendheid: hoe een gebouw tijd koopt
Tunnelboren onder een bewoonde stad
NSTC 500906583 · CB-relatie 8608439 · Bijgewerkt 6 augustus 2026